Caractéristique U-I d’une diode

Le courant qui traverse une jonction PN varie de façon non-linéaire avec la tension qui y est appliquée. Le courant est très faible jusqu'à ce que la tension appliquée dépasse la tension de seuil de la diode. On peut visualiser cela en traçant le courant en fonction de la tension.

Objectif

Tracer la caractéristique U-I d’une diode et comparer les résultats avec la théorie.

Procédure

schematics/diode_iv.svg pics/diode-iv-screen.png

On peut aussi faire cela en notant manuellement les lectures, depuis l'interface utilisateur graphique de l'oscilloscope. Les étapes nécessaires sont :

Discussion

La caractéristique U-I d’une jonction PN idéale est donnée par l’équation I = I0×e(qU ⁄ kT)1, où I0 est le courant de saturation inverse, q la charge de l’électron, k la constante de Boltzmann, T la température en Kelvin. Pour une diode réelle, non-idéale, l’équation est I = I0×e(qU ⁄ nkT)1, où n est le facteur d’idéalité, qui vaut 1 pour une diode idéale. Pour des diodes réelles il varie entre 1 et 2. On a utilisé une diode au silicium 1N4148. La valeur de n pour 1N4148 est proche de 2. On a calculé la valeur de n en modélisant les valeurs expérimentales par l’équation.

La tension à laquelle une DEL commence à émettre de la lumière dépend de sa longueur d’onde et de la constante de Planck. L’énergie d’un photon est donnée par E = hν = hc ⁄ λ. Cette énergie est égale au travail d’un électron qui franchit un seuil de potentiel, qui est donné par E = eU0. Donc la constante de Planck est h = eU0×λ ⁄ c, où λ est la longueur d’onde de la DEL, e la charge de l’électron et c la vitesse de la lumière.

Recommencer cette expérience en chauffant la diode à différentes températures.